中国研发首个半浮栅晶体管芯片器件核心技术获突破

中国研发首个半浮栅晶体管 芯片器件核心技术获突破

中新社上海8月12日电最新一期《科学》(Science)杂志刊登了由复旦大学微电子学院教授张卫领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文，这是中国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。　　相关专家认为，该成果的研制将有助于中国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。　　MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)是现在集成电路的核心器件。在过去的几十年里，各国科学家努力将更多的MOSFET集成到一块芯片上来提高运算能力，钻研如何实现更小尺寸的元器件。张卫表示，随着器件尺寸越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。　　半浮栅晶体管是一种新型基础器件，它是将隧穿场效应晶体管(TEET)和MOSFET相结合构建而成。论文第一作者王鹏飞解释说，“隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，好像拥有了穿墙术。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄，器件隧穿所需电压也就越低。把TFET和浮栅晶体管相结合，半浮栅晶体管(SFGT)的“数据”擦写更加容易、迅速。　　据了解，这种新结构晶体管的应用领域非常广泛，包括计算机存储，图像传感器等。它可使计算机存储器成本大幅降低，集成度更高，读写速度更快；使图像传感器感光单元密度更高，分辨率和灵敏度得到提升。　　张卫表示，半浮栅晶体管(SFGT)并不需要对现有集成电路制造工艺进行很大的改动，为尽快实现产业化，目前针对这个器件的优化和电路设计工作已经开始。

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